Asciugatura e rimozione dell'inchiostro
Per la rimozione dell'inchiostro, utilizzare DieMark® Ink Remover 8000 (disinchiostratore) | | | Asciugatura dell'inchiostro | | Xandex 8103 e 8104 |
| Modalità | Asciugatura solida | | Temperatura | Temperatura ambiente o ambiente riscaldato; non influenzato dalle temperature fino a 150 °C. | | tempo | Varia in base alle dimensioni dei punti; circa un minuto per ogni mil di diametro, fino a 15 mil a temperatura ambiente. | | Risultato | L'inchiostro risulta altamente resistente alla maggior parte dei processi post-sonda. | | Nota: gli inchiostri di fenoli essiccati all'aria non macchiano se vengono toccati. I modelli 8013 e 8014 sono altamente resistenti alla maggior parte dei maneggiamenti e dei processi post-sonda. L'asciugatura a temperatura ambiente garantisce buoni risultati per la maggior parte delle applicazioni. Negli impieghi in cui l'inchiostro è sottoposto a condizioni di lavorazione particolarmente rigide o laddove non dà risultati di adesione accettabili, si consiglia di ricorrere all'asciugatura a 150 °C della durata di 30 minuti. |  |
| Marker® 6990, 6993, 6997 | | Modalità | Asciugatura molle | | Temperatura | 100-150 °C | | Tempo | 5-15 minuti | | Risultato | L'inchiostro risulta semi-permanente e non resiste al lavaggio con alcol, acetone o sostanze per la rimozione di photoresist. | | | Modalità | Asciugatura solida | | Temperatura | 150-185 °C | | Tempo | 30-60 minuti | | Risultato | L'inchiostro risulta altamente resistente alla maggior parte dei processi di lavaggio. | | Nota: gli inchiostri di fenoli essiccati all'aria non macchiano se vengono toccati. Per ridurre il rischio di incrinature, questi inchiostri dovrebbero essere asciugati/cotti entro 2 ore dall'inchiostrazione. | |
| Xandex 7824 e 7824T | | Modalità | Asciugatura solida | | Temperatura | Temperatura ambiente o ambiente riscaldato; non influenzato dalle temperature fino a 150 °C. | | Tempo | 2,5 +/- 0,25 per punti da 15-20 mil a temperatura ambiente OPPURE 5-10 minuti con esposizione a lampada a infrarossi (150 watt @ 5-6 pollici) oppure in forno a 115 °C per 10 minuti. | | Risultato | L'inchiostro risulta altamente resistente alla maggior parte dei processi post-sonda. L'asciugatura a temperatura ambiente garantisce buoni risultati per la maggior parte delle applicazioni. Negli impieghi dove l'inchiostro è sottoposto a condizioni di lavorazione molto rigide o se il livello di adesione dell'inchiostro non è accettabile, si consiglia di incrementare la temperatura e i tempi di asciugatura a 150 °C per 30 minuti. | | |
| Marker® 7224 | | Modalità | Asciugatura solida | | Temperatura | 125-150 °C | | Tempo | 30-45 minuti | | Risultato | L'inchiostro risulta altamente resistente alla maggior parte dei processi di lavaggio. | | Nota: per il modello 7224 si sconsigliano l'essiccamento all'aria e l'asciugatura molle. | |
Rimozione dell'inchiostro
Se si lava il wafer subito dopo il sondaggio, il risciacquo con isopropanolo o con acetone è generalmente sufficiente a rimuovere completamente l'inchiostro. Xandex consiglia l'utilizzo di DieMark® Ink Remover 8000 (disinchiostratore) per tutti i tipi d'inchiostro. Per ottenere i risultati migliori, utilizzare la massima intensità. Procedura A - Applicare piccole quantità con un contagocce in un'area specifica del wafer da pulire.
- Attendere il tempo necessario affinché DieMark® Ink Remover 8000 (disinchiostratore) assorba i punti d'inchiostro (tempo medio: 2-3 minuti). Il tempo di attesa varia in base al tempo e/o alla temperatura di asciugatura dei punti d'inchiostro.
- Per i punti d'inchiostro particolarmente asciugati oppure essiccati in forno, concedere dei tempi di assorbimento più lunghi e asciugare delicatamente con un panno non peloso per favorire la rimozione. Se necessario, ripetere i passaggi descritti in precedenza.
- Per la rimozione dell'inchiostro da una vasta area o dall'intera superficie del wafer, imbibire un panno non peloso pulito di DieMark® Ink Remover 8000 (disinchiostratore) e applicare il panno umido alla superficie del wafer. Attendere il tempo necessario alla saturazione dei punti d'inchiostro, quindi asciugare.
- Dopo avere rimosso i punti d'inchiostro desiderati, sciacquare la superficie del wafer attenendosi alle procedure standard, vale a dire mediante sgrassatura a vapore e/o sciacquando con un solvente pulito (isopropanolo). Per rimuovere ogni traccia di solvente, si consiglia di sciacquare con acqua deionizzata. Sarebbe inoltre utile effettuare un ciclo di cottura a temperature idonee per vaporizzare i residui organici dovuti all'operazione di risciacquo del solvente.
Procedura B (se è necessario rimuovere completamente tutti i residui, seguire i passaggi riportati di seguito) - Bagno a ultrasuoni con DieMark® Ink Remover 8000 (disinchiostratore).
- Lavare il wafer per 1-5 minuti.
- Bagno a ultrasuoni in acetone per 2 minuti.
- Sciacquare con acqua deionizzata.
- Sciacquare con isopropanolo.
- Controllare con un ingrandimento di 30 o 40 volte. Se sono ancora presenti dei residui, ripetere la procedura mantenendo bassa la durata del bagno nel solvente (1-2 minuti).
- Essiccare all'aria.
Nota: per rimuovere ogni traccia di residuo, potrebbe essere necessario pulire delicatamente con un panno liscio. È inoltre possibile utilizzare il DieMark® Ink Remover 8000 (disinchiostratore) di Xandex per i bagni a ultrasuoni o a circolazione. Il prodotto si adatta ad altri metodi esclusivi per la pulitura di wafer come la temperatura per gradi o la ciclizzazione della pressione. Confrontare i requisiti dei solventi di pulizia per le attrezzature con DieMark Remover a garanzia della compatibilità e della sicurezza prima dell'uso ed eliminare i solventi nocivi dal processo di pulizia dei wafer. |  | | Di seguito si riportano riportati altri metodi che si sono rivelati efficaci in base al riscontro dei clienti. Metil-etil-chetone (MEK) o N-metil-2-pirollidone: seguire i passaggi riportati di seguito. - Bagno a ultrasuoni in solvente caldo (a 40-50 °C).
- Lavare il wafer per 1-5 minuti.
- Bagno a ultrasuoni in acetone per 2 minuti.
- Sciacquare con acqua deionizzata.
- Sciacquare con isopropanolo.
- Controllare con un ingrandimento di 30 o 40 volte. Se sono ancora presenti dei residui, ripetere la procedura mantenendo bassa la durata del bagno nel solvente (1-2 minuti).
- Essiccare all'aria.
| | Detergente Marker® 540 (sconsigliato con l'inchiostro 8103); seguire i passaggi riportati di seguito.- Bagno a ultrasuoni in solvente caldo (a 40-50 °C).
- Lavare il wafer per 30-60 secondi.
- Sciacquare con acqua deionizzata.
- Sciacquare con isopropanolo.
- Essiccare all'aria.
| | Disinchiostratore Aptek® n. 6515; seguire i passaggi riportati di seguito.- Per ottenere i risultati migliori, utilizzare la massima intensità.
- Applicare piccole quantità con un contagocce in un'area specifica del wafer.
- Attendere il tempo necessario affinché Aptek® 6515 sciolga i punti d'inchiostro (2-3 minuti). Il tempo di attesa varia in base al tempo e alla temperatura di asciugatura della resina epossidica.
- Per i punti d'inchiostro particolarmente asciugati, concedere dei tempi di assorbimento più lunghi e asciugare delicatamente con un panno liscio per favorire la rimozione. Se necessario, ripetere i passaggi 2, 3 e 4.
- Per la rimozione dell'inchiostro da una vasta area o dall'intera superficie del wafer, imbibire un panno liscio pulito di Aptek e applicare il panno umido alla superficie del wafer. Attendere il tempo necessario per assorbire/sciogliere l'inchiostro, quindi rimuovere il panno e asciugare.
- Dopo avere rimosso i punti d'inchiostro desiderati, pulire la superficie del wafer attenendosi alle procedure standard, vale a dire mediante sgrassatura a vapore e/o sciacquando con un solvente pulito (isopropanolo); quindi essiccare mediante ciclo di cottura a 65 °C.
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